PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，由于N型区内自由为多子凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址，空穴几乎为零称为少子凯时国际游戏网址，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

　　由于自由电子和空穴浓度差的原因，从而在中间形成了一个空间电荷区。在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区凯时国际游戏网址。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反凯时国际游戏网址，阻止扩散。

　　这时，P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子；N区一边失去电子凯时国际游戏网址，留下了带正电的杂质离子，那如何才能消除呢？

　　此时N型区域的电子被吸引到正电极凯时国际游戏网址，而p型区域的空穴则被吸引到负电极。因此凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址，在中间部位就形成了如同厚厚的墙壁样的区域，断绝了电子的补给。此中间部分的厚壁称为耗尽层。在此状态下,因加载的电压不能使电流流通，所以称为反向电压。

　　将P型半导体连接到正电极，则耗尽层的幅度变窄,P型区域内的空穴越过PN结移动到N型区域,N型区域内的电子则移动到P型区域凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址。

　　形成这样的状态后，只要稍微加大电压就可以使非常大的电流流通。加载的这种电压称为正向电压凯时国际游戏网址。

　　可见,PN结器件具有整流作用。但是加载反向电压时，仍有微乎其微的电流流通凯时国际游戏网址。这是因为存在因热能而穿透耗尽层的注入载流子凯时国际游戏网址。这是因热能而引起的电流，与外加电压无关（在反向电场下凯时国际游戏网址，支配电流是热能）凯时国际游戏网址。

　　另一方面凯时国际游戏网址，加载正向电压时，流入的空穴、电子数量与电压呈指数增长关系,电流变得非常大凯时国际游戏网址。因而体现出明显的整流作用。所谓整流作用是指由外部加载电压的极性控制电流流通或不流通的性质凯时国际游戏网址。而具有整流作用的拥有两个端子的半导体元件称为二极管凯时国际游戏网址。

　　图所示的整流特性只能粗略地表示其倾向凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址。如果加大反向电压到一定数值时,电流会突然增大,这种现象称为击穿,此时的电压称为齐纳电压凯时国际游戏网址。

　　导不了电的凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址，关非 过不去凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址，而是  离不开及进不来， 交叉对流无障碍，背道而驰不允许，所以凯时国际游戏网址，当

　　本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 学习

　　结构，也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说，它们有许多共同点，但是也存在不少的差异。l 相同点：（1）都存在空间电荷区和势垒区凯时国际游戏网址，则都有势垒电容

　　隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与

　　附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离

　　的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中凯时国际游戏网址，一部分形成P型半导体凯时国际游戏网址，另一部分形成N 型半导体。那么凯时国际游戏网址，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴

　　×10–19c）。在常温下凯时国际游戏网址，vt≈26mv。e——自然对数的底is——反向饱和电流，对于分立

　　的定义凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址，首先我们看下来自于的内容：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界

　　是半导体内部n型和p型半导体材料之间的界面或边界。固态电子学的关键之一是P-N

　　之一，其特性是仅在一个方向上通过电流凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址。通过施加负电压（反向偏置）导致自由电荷从

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