（原标题：晶合集成申请半导体结构及其制造方法专利，能够提升半导体设备的电学性能）

　　金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，公开号CN117410321A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：衬底；栅极结构，设置在衬底上；侧墙结构，设置在衬底上，且侧墙结构连接于栅极结构的侧壁；电容氧化层，覆盖在部分栅极结构上、部分衬底上和侧墙结构上，且电容氧化层位于栅极结构的一侧；刻蚀阻挡层，覆盖部分栅极结构和部分衬底，且刻蚀阻挡层位于衬底和电容氧化层之间，以及栅极结构和电容氧化层之间；以及金属硅化物，设置于衬底的表层、栅极结构的表层和电容氧化层上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体设备的电学性能。