- 半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战 2024-02-29
随着器件微缩至3nm及以下节点,后段模块处理迎来许多新的挑战,这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案。 在3nm节点,最先进的铜金属化将被低电阻、无需阻挡层的钌基后段金属化所取代。这种向钌金属化的转变带来减成图形化这一新的选择。这个方法也被称为半...
- 美国变革性的下一代电网控制技术获得 4200 万美元的联邦资助 2024-02-29
能源部 (DOE) 启动了一条新的赋能途径,通过电力电子结构,实现并维持国家不断发展的 该机构于 11 月 21 日公布了该机构的首批奖项为 11 个州的 15 个项目提供 4200 万美元根据 ULTRAFAST 计划,这是一项高级研究计划署能源 (ARPA-E) 计划,于 2023 年 2 月...
- 晶合集成申请半导体结构及其制造方法专利能够提升半导体设备的电 2024-02-29
(原标题:晶合集成申请半导体结构及其制造方法专利,能够提升半导体设备的电学性能) 金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为一种半导体结构及其制造方法,公开号CN117410321A,申请日期为2023年12月。...
- CMOS集成电路中ESD保护技术研究 2024-02-29
静电在芯片的制造、封装凯时国际游戏网址、测试和使用过程中无处不在,积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放,瞬间功率高达几百千瓦平行极化凯时国际游戏网址,放电能量可达毫焦耳凯时国际游戏网址,对芯片的摧毁强度极大凯时国际...
- PN结器件如何导流 2024-02-29
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,由于N型区内自由为多子凯时国际游戏网址凯时国际游戏网址,空穴几乎为零称为少子凯时国际游戏网址,而P型区内空穴为多子,自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。 由于自由电子...